FeRAM:商用MB铁电RAM
出处
《世界电子元器件》
2003年第5期7-7,共1页
Global Electronics China
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3Jim Harrison.65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb[J].今日电子,2006(10):37-37.
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4岳云.走向实用化的FeRAM[J].今日电子,2002(10):57-58. 被引量:2
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5富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].家电科技,2008(13):51-51.
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6向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].现代材料动态,2008(6):28-28.
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7富士通将上市新型8位微控制器[J].机电工程技术,2005,34(7):7-7.
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9富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料[J].中国集成电路,2006,15(9):4-4.
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10富士通推出配备2kbFeRAM的RFID标签芯片[J].金卡工程,2005,9(8):26-26.
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