介质谐振器稳频GaAsFET—VCO

本文在理论分析的基础上,提出了可在较大范围内改变介质谐振器频率的耦合方式,实现较宽电调带宽的介质稳频压控振荡器(DR—VCO)。采用CAD的方法获得的实际电路电调带宽≥1％,功率起伏≤1dB,相位噪声在偏离载频10kHz处SSB优于—86dBc/Hz。