全自对准槽栅IGBT设计

本文设计了一种全自对准的槽栅 IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两块光刻版,且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差,提高了工艺成品率。同时,降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的 IGBT 多重沟道短路结构,有效地防止器件闩锁。用氧化层硬掩模和先进的硅化物工艺实现全自对准的多晶硅反刻和金属连接,可使元胞尺寸缩小到2μm甚至更小,增加了 IGBT 芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度,提高了电流。用砷(As)掺杂代替磷(P),可有效提高源区表面浓度,实现浅结工艺。