用激光束成像法测量双E型硅弹性膜应变
Measurement on the strain of elastic diaphragm of silicon dual-E structure by laser beam imaging
摘要
报道了用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜在不同压力情况下的应变进行的研究,并测出该弹性膜的应变情况.此方法对其他形式的敏感芯片应变的研究具有一定的参考价值.
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第6期43-45,共3页
Micronanoelectronic Technology
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