IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性
出处
《电子工程师》
2003年第5期62-62,共1页
Electronic Engineer
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1具备快速本体二极管特性的MOSFET[J].国外电子元器件,2003(7):76-76.
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2IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子质量,2003(4):133-133.
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39R全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子质量,2003(5):111-111.
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4IR为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):63-63.
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5IR为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):14-14.
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6L—Series MOSRET：600V HEXFET功率MOSFET[J].世界电子元器件,2003(5):10-10.
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7IR推出全新30V功率MOSFET[J].中国集成电路,2003(44):13-14.
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8盛程潜.并联半桥谐振变换器分析与研究[J].黑龙江工程学院学报,2013,27(1):48-50. 被引量：1
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9IR推出200A超软超快恢复二极管适用于高频焊接及电池充电电路[J].电源技术应用,2003,6(1):61-61.
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10DirectFETMOSFET确立效率新标准[J].电子设计应用,2003(1):103-103.
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