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一种快速电压变换器的研制

Development of a Fast Voltage Converter
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摘要  介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。 A fast voltage converter has been developed, and its circuit, layout and process design are reviewed in the paper A polysilicon emitter selfalignment technique is used for the device An input/output delay time less than 50 ns is achieved The circuit can be widely used in the controller of GaAs FET power amplifiers
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期160-162,共3页 Microelectronics
关键词 电压变换器 工艺设计 多晶硅发射极 自对准工艺 输入输出延迟时间 模拟集成电路 GaAs-FET功率放大器 Analog IC Voltage converter Polysilicon emitter Self-aligned process
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参考文献1

  • 1复旦大学微电子教研组.集成电路设计原理[M].北京:人民教育出版社,1977..

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