GaN-MOCVD设备产业化发展战略研究——Ⅲ族氮化物半导体的热点、难点、机遇和挑战

以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经成为世界范围的研究热点。但是,采用异质外延法生长的GaN,由于衬底材料晶格失配和热失配而存在高密度的位错缺陷和产生龟裂;外延生长所用的源材料之间存在严重的气相预反应以及MO源对氧和水份等杂质十分敏感,因而外延质量和成品率强烈依赖于设备性能和工艺条件。无论是设备还是工艺,都还存在很大的发展空间和机遇,预料3年～5年内国外将推出每批几十片的商用机型,我国相关设备制造和器件开发面临严峻挑战。