锑化铟探测器系统的前置放大器噪声
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1吴兴源,吴飞.晶体管放大器噪声的改善[J].电气时代,1995,0(4):18-19.
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2吴兴源,吴飞.晶体管放大器噪声的改善[J].电气时代,1995(3):18-19.
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3吴兴源.降底放大器噪声的方法[J].无线电,1991(11):15-17.
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4郑焕东,宋福英.MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究[J].红外与激光技术,1995,24(1):43-49. 被引量:1
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5刘昌林,李仁豪.64×64元InSb阵列CMOS读出电路[J].半导体光电,2000,21(A03):53-55.
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6邓志杰.展望2002年化合物半导体[J].现代材料动态,2002(11):1-2.
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7田人和,卢武星,李竹怀,高愈尊.InSb中离子注入二次缺陷研究[J].物理学报,1992,41(5):809-813.
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8张廷庆,刘家璐.快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响[J].微细加工技术,1991(2):62-65. 被引量:2
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9邓志杰.具有发展前途的InSb[J].现代材料动态,2003(1):12-12.
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10毕叔和.红外器件用InSb体单晶[J].电子材料快报,1999(8):14-15.
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