InP基上InAs纳米结构形貌的研究进展

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摘要本文是关于InP衬底上InAs纳米结构形貌的概述，文中主要阐述了生长过程中的应力、生长条件对纳米结构形貌的影响。

作者赵凤瑗徐波何军朱天伟张春玲王占国

机构地区中科院半导体研究所半导体材料重点实验室北京

出处《金属材料研究》 2003年第2期1-4,共4页 Research on Metallic Materials

关键词 INP基 INAS 纳米结构生长过程应力研究进展 Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点量子线

参考文献24

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金属材料研究

2003年第2期

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