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外延ZnO压电薄膜的声表面波特性分析 被引量：2

Analysis of SAW properties for epitaxial ZnO thin films
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摘要 　采用RF平面磁控溅射技术在单晶Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜的结构特性及电学性能,XRD结果表明:在Al2O3衬底上沉积的ZnO薄膜是高度c轴取向的.电阻率测试结果表明:在纯氧中高温退火,薄膜的电阻率提高到107Ω·cm量级.对于ZnO Al2O3结构的SAW器件,随着ZnO薄膜厚度的减小,其机电耦合系数降低,但声表面波速率增加. Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Al2O3 by R. F. plane magneticcontrol sputtering system. Structure and electrical properties of ZnO films were investigated. XRD results show that ZnO films deposited on Al2O3 had a very strong preferred orientation along caxis normal to the substrate surface. The resistivity of ZnO films annealed in pure O2 at high temperature were increased to the magnitude order of 107Ω·cm. For ZnO / Al2O3 surface acoustic wave (SAW) devices, when the thickness of ZnO thin films decreased, the mechanicalelectrical coupling coefficient decreased and the surface wave velocity increased.
作者 张柏顺 刘江华 江娟 梁坤 章天金
机构地区 湖北大学物理学与电子技术学院
出处 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第2期130-132,共3页 Journal of Hubei University：Natural Science
基金 武汉市科技晨光计划资助项目(20015005032)
关键词 ZNO压电薄膜 氧化锌薄膜 声表面波 薄膜结构 电学性能 磁控溅射 magnetic-control sputtering system ZnO films SAW structural properties
分类号 O484 [理学—固体物理] TN304.055 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献16

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共引文献31

同被引文献40

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引证文献2

二级引证文献8

湖北大学学报（自然科学版）
2003年 第2期

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