快闪存储器在编程／擦除循环后SILC的定位
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期76-76,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1全面研究SILC对E^2PROM可靠性的影响[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(6):71-71.
-
2刘红侠,郑雪峰,郝跃.闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理[J].物理学报,2005,54(12):5867-5871. 被引量：1
-
3孙鹏,FANG,Zhong,Han,Zhengzhi.Sampled-data Iterative Learning Control for Singular Systems[J].High Technology Letters,2004,10(3):70-73. 被引量：3
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