短沟道n—和p—MOSFET中氧化击穿的位置和硬度
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期77-77,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
12002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在0．1μm CMOS技术中静电放电引起的氧化击穿的特性表征[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-61.
-
2极低电场下氧化击穿的研究[J].电子产品可靠性与环境试验,2001(6):48-48.
-
3周仕祥,张秋伊,黄是鹏.正向型多谐振DC－DC变换器的不足与改进[J].电力电子技术,1996,30(3):31-33. 被引量：1
-
4NFET器件超薄栅氧化与极性有关的氧化击穿[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(3):77-77.
-
5在ESD脉冲期间发生的氧化击穿机理分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(4):64-64.
-
6用于超薄氧化中软击穿探测的精确、健壮、基于噪声的触发器算法[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(2):68-68.
-
7郭宇.努力提高开关电源的可靠性[J].电源世界,2010(11):54-55. 被引量：1
-
8杨兆年,刘红侠,朱嘉.90nm CMOS工艺下3×V_(DD)容限静电检测电路[J].西安电子科技大学学报,2015,42(1):56-61. 被引量：1
