摘要
利用EET理论计算了Al2 O3 与Fe3 Al的价电子结构及其部分晶面的电子密度。结果表明 ,两相界面的电子密度差Δρ >10 % ,界面有较大的应力。两相以一定方式取向时 ,可增强结构的稳定性。
Valence electron structures and grain plane electron density of Fe 3Al and Al 2O 3 were made based on the calculation of Empirical Electron Theory of Solids and Molecules (EET). The mismatch of grain face electron density between Al 2O 3 and Fe 3Al is larger than 10%(Δρ>10%),indicating the weak bond interface.The structure stability can be enhanced with the same special plane orientation of Al 2O 3 and Fe 3Al.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期99-105,共7页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 2 42 0 0 8)
教育部博士点基金资助项目 (No .2 0 0 2 0 42 2 0 0 1)