减小铝栅CMOS电路的静态功耗电流
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1余学锋,任迪远,陆妩,张国强,郭旗,严荣良.4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流[J].核技术,1997,20(1):24-28. 被引量：11
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2曹宏斌,赵桂茹.功耗电流小于200nA的Al栅CMOS I_(DD)失效分析[J].半导体技术,1998,23(2):24-28. 被引量：1
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3李睿,冯全源.一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计[J].微电子学,2016,46(3):328-331. 被引量：3
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4栗学忠.CMOS电路功耗电流构成及测试方法[J].微处理机,1996(1):87-89.
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5李茂顺,余学峰,任迪远,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,费武雄,陈睿,赵云.不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应[J].微电子学,2011,41(1):128-132. 被引量：4
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6杨少丹,阴亚东,刘韵清.一种快速启动低噪声片上电源[J].固体电子学研究与进展,2014,34(1):86-89. 被引量：2
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7宁永成.CMOS集成电路静态功耗电流测试的重要性研究[J].电子产品可靠性与环境试验,2010,28(3):27-29.
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8文林,郭旗,张军,任迪远,孙静,郑玉展,王改丽.屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤[J].核电子学与探测技术,2009,29(2):398-401. 被引量：2
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9李睿,冯全源.一种分段曲率补偿带隙基准源设计[J].电子元件与材料,2015,34(6):57-60. 被引量：4
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10李豫东,任建岳,金龙旭,张立国.SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析[J].光学精密工程,2009,17(4):787-793. 被引量：7
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