湿氮退火改善晶体管表面特性
-
1梁永林.湿氮退火改善晶体管表面特性——提高小电流下β[J].半导体技术,1993,9(4):35-38.
-
2李立本,张锦心,陈修治,阙端麟.采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究[J].浙江大学学报(自然科学版),1990,24(3):339-344. 被引量:2
-
3张之翔,李英琴.氮化硅中氮的测定[J].稀有金属材料与工程,1990,19(6):69-71.
-
4友清.90年代氮激光泵浦染料激光器的应用展望[J].国外激光,1992(1):22-23.
-
5杨德仁.硅材料中氮的性质和研究[J].半导体技术,1990,6(4):47-50. 被引量:2
-
6李刚,汪雷,袁骏,王战.激光辐照区表面氮的研究[J].半导体技术,1991,7(6):53-56.
-
7张晓刚.手机“湿身””巧修理[J].农村电工,2005(8):32-32.
-
8义仡.用一种新氮源制造GaN薄膜[J].电子材料快报,1996(1):10-10.
-
9陈兰英,崔季秀,陈泽兴,钱红斌,苏宝嫆,吴惠元,俞绳祖,栾柏荣,马玉龙.碳-氮共渗层激光非晶态的研究[J].中国激光,1992,19(4):316-320. 被引量:5
-
10晓予.InAs在NH3流中氮化生长InNAs[J].电子材料快报,1999(7):14-15.
;