2μmCMOS电路浅结的研制
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1宋宁,周坤.离子注入工艺技术[J].集成电路通讯,2005,23(4):15-18. 被引量：4
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2李秀琼,王纯,马祥彬,杨军.辉光放电电子束掺杂硼浅结[J].Journal of Semiconductors,1992,13(7):448-452. 被引量：2
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3范才有.高速双极器件制造中的离子注入技术[J].微电子学,1993,23(1):15-18.
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4卢志恒,李素杰,张朝明,罗晏,张荟星.衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响[J].Journal of Semiconductors,1990,11(3):215-220. 被引量：1
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5林健,李明祥,吴立.砷预非晶制作结深小于0.25μm的浅结[J].微电子学,1992,22(5):30-33.
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6鲍希茂,严海,茅保华.用硅化物作注入阻挡层形成浅结[J].Journal of Semiconductors,1993,14(6):368-374. 被引量：1
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