1M位CMOSDRAM的可测性设计
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1朱康余.利用双端口RAM技术实现高速数据采集[J].电子与自动化,1995,24(6):35-37.
-
2田中刚,李世兴.4M位DRAM采用的微细CMOS技术[J].江南半导体通讯,1992,20(6):77-81.
-
3江锋,夏立生.实验性的1.5V64M位DRAM[J].江南半导体通讯,1992,20(6):26-33.
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4苏延顺.充分使用COMPAQ 386微机的大容量内存[J].水利水文自动化,1991(4):29-30.
-
5王谦芳.RAM芯片2114的特殊用法[J].仪器与未来,1992(2):21-21.
-
6前田和夫,李世兴.0.5um工艺时代的半导体制作设备[J].江南半导体通讯,1992,20(6):97-107.
-
7孙青.64兆位动态随机存取存储器[J].高技术通讯,1991,1(6):43-44.
-
8Tayl.,RT,王国平.一种采用分段位线矩阵结构的1兆位CMOS...[J].江南半导体通讯,1992,20(6):34-43.
-
9Tabai.,F,李宗杰.动态RAM设计指南：IV.注意布局细节有助于DRAM板设计[J].微型计算机,1990,10(3):93-96.
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10Gumm,S,李宗杰.动态RAM设计指南：I. 解开动态RAM的疑难[J].微型计算机,1990,10(2):78-85.
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