杨德仁院士

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摘要 1主要经历杨德仁, 1964年出生, 1985年本科毕业于浙江大学材料系, 1991年在浙江大学获半导体材料博士学位, 1993年博士后流动站出站后留在浙江大学材料系(硅材料国家重点实验室)工作, 1997年被浙江大学特批为教授,期间曾先后在日本、德国和瑞典工作, 2017年当选中国科学院院士.

出处《中国科学：信息科学》 CSCD 北大核心 2019年第4期503-504,共2页 Scientia Sinica(Informationis)

关键词直拉硅单晶半导体材料杨德仁外延硅片极大规模集成电路硅晶体国际学术会议纳米半导体国家自然科学基金晶体生长微缺陷

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] K826.13 [历史地理—历史学]

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