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一种基于光电负阻器件的新型阈值可调光传感器(英文)

A New-style Light Sensor with Adjustable Threshold Based on Photoelectronic Negative Resistance Devices
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摘要 将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起,利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性,制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明,该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合,还可实现设定阈值,比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能;同时它结构简单,调整方便。 A newstyle nonlinear light sensor of adjustable threshold has been fabricated by packaging a silicon photoelectronic negative resistance device and an LED together,and using the photobistable and selflocking characteristics of the negative resistance device.It is shown this light sensor can realize the photoelectronic coupling of signals,and a series of signal processing functions such as threshold setting,comparing,and output driving.It also has a simple structure and can be modulated conveniently.
出处 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期701-704,共4页 Journal of Optoelectronics·Laser
关键词 硅光电负阻器件 非线性光耦合器 光学双稳态 光传感器 阈值可调 light sensor Si photoelectronic negative resistance device photobistability nonlinear photo-coupler
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献11

  • 1郭维廉,李树荣,郑云光.光电负阻晶体管的初步研究[J].电子学报,1997,25(2):100-102. 被引量:13
  • 2施敏,半导体器件物理,1987年
  • 3Wu Chingyuan,IEEE EDL,1980年,1卷,5期,81页
  • 4Wu C Y,IEEE Electron Device Lett,1980年,1卷,5期,81页
  • 5Wu C Y,IEEE Trans ED,1980年,27卷,2期,414页
  • 6Wu C Y,Solid State Electron,1980年,23卷,1113页
  • 7王守武,半导体学报,1986年,7卷,2期,147页
  • 8王守武,半导体学报,1986年,7卷,2期,147页
  • 9Wu C Y,IEEE Electron Device Lett,1980年,1卷,5期,81页
  • 10郑云光,郭维廉,李树荣.光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析[J].电子学报,1998,26(8):105-107. 被引量:11

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