AlGaN/GaN HEMT器件的研制被引量：18

Research on AlGaN/GaN HEMT

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摘要介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为 0 95A/mm . The fabrication of AlGaN/GaN HEMT and its properties at room temperature is reported.Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti/Al/Pt/Au and Pt/Au,respectively.A maximum transconductance of 120mS/mm and a saturated current density of 0 95A/mm are obtained.

作者张小玲吕长治谢雪松李志国曹春海李拂晓陈堂胜陈效建

机构地区北京工业大学电子信息与控制工程学院南京固体器件研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期847-849,共3页 半导体学报（英文版）

关键词 A1GAN/GAN HEMT 输出特性 AlGaN/GaN HEMT output characteristics

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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2003年第8期

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