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具备快速本体二极管特性的MOSFET
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出处
《国外电子元器件》
2003年第7期76-76,共1页
International Electronic Elements
关键词
国际整流器公司
MOSFET
ZVS
零电压开关
本体二极管
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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1
IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J]
.电子质量,2003(4):133-133.
2
IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J]
.电子工程师,2003,29(5):62-62.
3
9R全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J]
.电子质量,2003(5):111-111.
4
L—Series MOSRET:600V HEXFET功率MOSFET[J]
.世界电子元器件,2003(5):10-10.
国外电子元器件
2003年 第7期
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