莱迪思半导体公司发布其业界最低功耗的10GBPS SERDES器件
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期77-77,共1页
Semiconductor Technology
-
1莱迪思半导体公司发布其业界最低功耗的10吉比特／秒（GBPS）SERDES器件[J].集成电路应用,2003,20(8):42-42.
-
2安华高科技率先采用65nm CMOS工艺性能可达17Gbit／s的SerDes[J].电信技术,2007(9):16-16.
-
3通信与计算机[J].电子设计应用,2008(10):120-120.
-
4莱迪思半导体公司发布最低功耗SERDES器件[J].中国集成电路,2003(51):30-30.
-
5Avago测试20Gbps SerDes技术[J].信息通信,2008,21(4):6-7.
-
6Caglar Yilmazer.Maxim GMSL SerDes器件的预加重和均衡[J].电子产品世界,2012,19(7):40-42.
-
7PMC-Sierra展示SERDES技术[J].电子产品世界,2004,11(03A):92-92.
-
8飞兆推出串行／解串器装置，解决EMI和高速接口设计问题[J].电子质量,2004(1).
-
9通信元器件[J].世界电子元器件,2007(8):84-85.
-
10微型μSerDes器件可将电磁干扰降低40dB[J].电子设计技术 EDN CHINA,2005,12(6):18-18.
