BF2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
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1朱文玉,李晓勤,林成鲁,陈树光,徐运海.BF_2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析[J].Journal of Semiconductors,1993,14(3):166-173.
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2林成鲁,倪如山,邹世昌.BF_2^+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究[J].电子科学学刊,1989,11(4):434-438.
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3张秀珠,苏毅.用椭偏谱法研究硅(111)表面的化学处理[J].上海轻工业高等专科学校学报,1995,16(3):7-12.
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4曾祥斌,徐重阳,戴永斌,王长安,周雪梅,赵伯芳.XeCl激光晶化制备多晶硅薄膜及椭偏谱分析[J].半导体光电,2000,21(4):276-278.
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5梁中宁,莫党,卢殿通.氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(2):132-140. 被引量:4
-
6新型硅分子诞生[J].新材料产业,2003(3):38-39.
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7王家祺,解思深.集成电路发展前景──下一步的技术进展[J].物理,1993,22(4):229-230. 被引量:2
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8黄维柱,王勇,邱晓海.BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响[J].微电子学与计算机,2001,18(3):46-49.
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9李金华,邹世昌.BF_2^+注入束的沾污和对结深的影响[J].Journal of Semiconductors,1990,11(4):294-300. 被引量:2
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10日本教授合成新型硅分子推动电子新材料开发[J].科学技术研究成果公报,2003(1):70-70.
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