期刊文献+

PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究 被引量:11

SFM investigation of nanoscale domain structure in ferroelectric PZT thin films
原文传递
导出
摘要 利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了 (111)择优取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为 .铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关 .直接观察到极化反转期间所形成的小至 30nm宽的台阶结构 ,该台阶结构揭示了 (111)取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜在极化反转期间其畴成核与生长机理主要表现为铁电畴的纵向生长机理 . Nanoscale domain structures and polarization reversal behaviour in (111)-oriented PZT60/40 thin film were investigated in-situ with scanning force microscopy piezoresponse mode. Complex domain contrast is related to the arrangement of domains in grains and to the orientation of the grains in the film. The step structure of similar to 30 nm in width was directly observed, which was formed during the polarization reversal process. The presence of the step structures reveals that the forward domain growth mechanism prevails in the polarization switching process of PZT60/40 thin films.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1783-1787,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家重点基础研究发展规划项目(批准号 :2 0 0 2CB613 3 0 7) 国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 2 5 0 3 0 )资助的课题~~
关键词 PZT薄膜 铁电薄膜 纳米尺度畴结构 扫描力显微术 极化反转 畴成核 纵向生长机理 domain structure switching mechanism PZT thin film scanning force microscopy
  • 相关文献

参考文献24

  • 1Polla D L and Francis L F 1998 Annu. Rev. Mater. 28 563.
  • 2Li Z Q,Chem M, Shen W B and Li J D 2001 Acta Phys. Sin. 50 2477 (in Chinese)
  • 3Scott J E 1998 Ferroelect. Rev. 1 1.
  • 4Binning et al 1986 Phys. Rev. Lett. 56 930.
  • 5Shen D H 2001 Chin. Phys. 10 S163.
  • 6Ahn C H et al 1997 Sclence 276 1100.
  • 7Zavala G et al 1997 J. Appl. Phys. 81 7840.
  • 8Gruverman A L et al 1998 Annu. Rev. Sci. 28 101.
  • 9Xie Z et al 2000 Appl. Phys. Lett. 76 1923.
  • 10Lines M E and Glass A M 1977 Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials ( Oxford : Clarendon) p89.

同被引文献123

引证文献11

二级引证文献37

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部