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稀土锰氧化物低场磁电阻效应 被引量:2

Low-Field Magnetoresistance in Doped Perovskite-Manganites Oxides
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摘要 掺杂稀土锰氧化物是典型磁性半导体钙钛矿氧化物,其庞磁电阻(CMR)效应代表了过去10年凝聚态物理探索的电子强关联主要体系之一,同时在自旋电子学中有着潜在的应用前景。要实现自旋电子学应用,必须大幅度提高稀土锰氧化物低场磁电阻效应(LFMR)并深刻理解与此相关的物理问题。本文将阐述LFMR产生的基本原理和研究现状,讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法。
出处 《自然杂志》 北大核心 2003年第4期196-201,共6页 Chinese Journal of Nature
基金 国家自然科学基金 国家"973"项目资助
关键词 稀土锰氧化物 低场磁电阻效应 铁磁性 自旋电子学 人工晶界 磁场约束 perovskite-manganese oxides, spin-disorder, ferromagnetic, low-field magnetoresistance
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参考文献20

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同被引文献51

引证文献2

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