摘要
掺杂稀土锰氧化物是典型磁性半导体钙钛矿氧化物,其庞磁电阻(CMR)效应代表了过去10年凝聚态物理探索的电子强关联主要体系之一,同时在自旋电子学中有着潜在的应用前景。要实现自旋电子学应用,必须大幅度提高稀土锰氧化物低场磁电阻效应(LFMR)并深刻理解与此相关的物理问题。本文将阐述LFMR产生的基本原理和研究现状,讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法。
出处
《自然杂志》
北大核心
2003年第4期196-201,共6页
Chinese Journal of Nature
基金
国家自然科学基金
国家"973"项目资助