摘要
一、引言 自1970年,Ovshinsky首次报道利用硫系合金薄膜的可逆结构相变来进行光学数据存贮以来,Te基合金由于具有大的光吸收、低的热导率和适当的晶化特性而得到了广泛的研究,如TeGeSbS,TeSeGa,TeGeSnAu,TeGe,GeSbTe等,其中以GeSb_2Te_4化合物半导体材料最具有吸引力。Yamada报道了GeSb_2Te_4材料的光记录特性,可用50(ns)
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第12期1075-1077,共3页
Chinese Science Bulletin
