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激光法制备纳米级Si_3N_4荧光光谱研究
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摘要
自80年代初期以来,我们对激光法制备的纳米氮化硅的物理特性进行了一系列实验研究,发现了较多新的物理现象,如红外特征吸收峰畸变,红外金吸收特性,拉曼位移畸变等。本文首次对激光法制备的纳米非晶态氮化硅粉末及其加压成形块体的荧光光谱进行研究,提出了硅悬挂键作为陷阱中心和复合中心的荧光光谱新的作用机理。
作者
李道火
魏雄
机构地区
中国科学院安徽光学精密机械研究所
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第17期1624-1626,共3页
Chinese Science Bulletin
关键词
氮化硅
荧光光谱
激光法
纳米级
分类号
TF123.72 [冶金工程—粉末冶金]
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1992年 第17期
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