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用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布 被引量:1

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摘要 半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第21期1949-1951,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献3

  • 1刘亚雯,分析化学,1989年,17卷,9期,858页
  • 2张克从,晶体生长,1981年
  • 3易师圣,稀有金属,1979年,6期,19页

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献2

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