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用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布
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摘要
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
作者
刘亚雯
吴强
胡金生
魏成连
袁汉章
朱腾
闻莺
机构地区
中国科学院高能物理研究所
北京有色金属研究总院
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第21期1949-1951,共3页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金
关键词
同步辐射
XRF
硅
掺杂元素
砷
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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科学通报
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