Sematech支持沉浸光刻技术
出处
《集成电路应用》
2003年第8期47-48,共2页
Application of IC
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1马琳.SEMATECH联合体的21世纪高超目标[J].电子材料(机电部),1992(9):8-9.
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2David Lammers.在(110)单晶硅上获得高性能nFET[J].集成电路应用,2008(4):24-24.
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3陈裕权.Sematech研究用Ge和SiGe作硅MOSFET沟道[J].半导体信息,2006,0(5):31-31.
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4David Lammers.Sematech在VLSI会议上报告最新进展[J].集成电路应用,2008(9):30-30.
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5TSMC将与SEMATECH合作20nm及更先进工艺[J].中国集成电路,2011,20(6):14-15.
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6国际新闻[J].集成电路应用,2008,25(9):24-24.
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7Sematech在EUV技术上实现突破实现22nm半节点分辨率[J].电子工业专用设备,2008,37(8):62-62.
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8国际新闻[J].半导体行业,2008(6):58-59.
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9Sematech召开论坛讨论下一代光刻技术 设备成本将达4000万美元[J].电子工业专用设备,2008,37(5):49-49.
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10沈熙磊.KLA-Tencor加入Sematech光刻缺陷研究项目[J].半导体信息,2011,0(4):26-26.
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