期刊文献+

一种新型的单电子A/D转换器 被引量:2

A novel single-electron analog-to-digital converter
原文传递
导出
摘要 传统的A D转换器结构复杂 ,利用一种改进的V PADOX工艺可以制成性能均匀的互补的单电子晶体管 ,工艺重复性好 .用互补SET对结构实现了多阈值周期性传输功能 ,这可以用来简化A D转换电路 .提出了一种利用该互补SET对结构实现的新型 3位A D转换器 ,具有结构简单、速度快、功耗低等优点 . The ideal single-electron transistor has a folding I-V characteristic. Multi-threshold periodic transmitting function can be achieved by using a complementary single-electron transistor structure, which can be used to simplify the analog-to-digital (A/D) converter. A novel 3-bit A/D converter by using the complementary single-electron transistor structure has many advantages including a simple structure, high speed and low power.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期2041-2045,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 1CB3 0 95 ) 国家自然科学基金 (批准号 :6992 5 410 )资助的课题 .~~
关键词 单电子A/D转换器 V-PADOX工艺 互补单电子晶体管结构 库仑振荡 模/数转换器 多阈值周期性传输 Coulomb oscillation analog-to-digital converter complementary single-electron transistor structure
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Kuo T H, Lin H C, Potter R C et al 1991 IEEE J. Solid-State Circuits 26 145.
  • 2Wei S J, Lin H C, Potter R C et al 1993 IEEE J. Solid-State Circuits 28 697.
  • 3Yukinori O, Yasuo T, Kenji Y 2000 IEEE Trans. Electron Devices 42 147.
  • 4Yukinori O, Yasuo T, Kenji Y et al 2001 Appl. Phys. Lett. 76 3121.

同被引文献24

  • 1李亚,禹思敏,戴青云,刘明华,刘庆.一种新的蔡氏电路设计方法与硬件实现[J].物理学报,2006,55(8):3938-3944. 被引量:32
  • 2MATSUMOTO T, CHUA L O, TOKUMASU K. Double scroll via a two-transistor circuit [J]. IEEE Trans Circ and Syst, 1986,33(8): 828-835.
  • 3MATSUMOTO T, CHUA L O, AYAKI K. Reality of chaos in the double scroll circuit: a computer-assisted proof [J]. IEEE Trans Circ and Syst, 1988, 35(7): 909-925.
  • 4CHUA L O. The double scroll family [J]. IEEE Trans Cire and Syst, 1986, 33(11) :1072-1118.
  • 5SUN J P,HADDAD G I,MAZUMDER P, et al. Resonant tunneling diodes: model and properties [J]. Proc IEEE, 1998, 86(4): 641-661.
  • 6TSU R, EASKI L. Tunneling in a finite superlattice [J]. Appl Phys Lett, 1973, 22(11): 562-564.
  • 7CHANG L L,EASKI L,TSU R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers[ J ]. Appl Phys Lett, 1974, 24(12) : 593-595.
  • 8LIKHAREV K K. Single-electron devices and their applications [J]. Proc IEEE, 1998,87 (4) : 602-632.
  • 9MAEZAWA K, KAWANO Y, OHNO Y, et al. Chaos generator MMIC's using resonant tunneling diodes [C] // Device Research Conf. 2001: 55-56.
  • 10QUINTANA J M, AVEDILLOO M J. Nonlinear dynamics in frequency divider RTD circuits[J]. Elec Lett, 2004, 40(10): 586-587.

引证文献2

二级引证文献8

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部