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红外探测器材料
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摘要
波兰Vigo System SA公司开发经理Jozef Piotrowski最近撰文指出,最近一两年内,无需依靠低温致冷进行工作的中波红外(3μm~5μm)和长波红外(8μm~14μm)光电探测器的性能预期会有很大提高。这些高温器件将得益于更先进的体系结构的使用。
作者
高国龙
出处
《红外》
CAS
2003年第8期42-43,共2页
Infrared
关键词
非致冷红外光电探测器
分子束外延生长
性能
异质结构
碲镉汞化合物
HGCDTE
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TN362 [电子电信—物理电子学]
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徐非凡.
MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究[J]
.红外,2003,24(5):1-4.
被引量:2
2
高国龙.
用于红外探测的HgCdTe光电二极管:述评(上)[J]
.红外,2002(11):31-35.
被引量:2
3
Ziad Tarik Al-Dahan.
Preparation of HgCdTe Compound[J]
.材料科学与工程(中英文A版),2011,1(3X):423-427.
4
姜润清,张燕,孙渝明.
激光与砷注入碲镉汞的相互作用[J]
.山东大学学报(自然科学版),2000,35(3):353-355.
5
顾聚兴.
用分子束外延方法在4″硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵[J]
.红外,2003(8):28-35.
6
江俊,李宁,陈贵宾,陆卫,王明凯,杨学平,吴刚,范耀辉,李永贵,袁先漳.
FEL诱导半导体材料非线性光吸收[J]
.物理学报,2003,52(6):1403-1407.
被引量:1
红外
2003年 第8期
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