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红外探测器材料（SPIE Vol．4454）

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摘要 一、HgCdTe的外延与分子束外延生长 1.用MOVPE生长在(211)B CdTe/Si衬底上的HgCdTe膜层的特性(S.H.Suh等,韩国科技研究所)
作者 高国龙
出处 《红外》 CAS 2003年第8期46-47,共2页 Infrared
关键词 红外探测器材料 空间应用 多色红外探测器 HGCDTE材料 分子束外延生长 量子阱红外探测器
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学] TN213 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
红外
2003年 第8期

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