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一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计 被引量:8

A High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference Design
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摘要 文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。 A bandgap voltage reference circuit is presented in this paper,which is in a0.35μm CMOS process.The derive has a high power supply rejection ration,a low temperature coeffi-cient and low random mismatch.This circuit can be used wide-ly to some exact circuits and systems.
机构地区 华中科技大学
出处 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第8期161-162,166,共3页 Microelectronics & Computer
关键词 模拟集成电路 数模混合集成电路 O.35μm工艺 高性能CMOS能隙基准电压源电路 电路设计 Temperature coefficient,Bandgap voltage refer-ence,Mismatch
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Cheng Jun.ACMOS Bandgap Reference Circuit.IEEE J Sol Sta Circ, 2001: 271-273.
  • 2Razavi, Behzad. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. 2001:377--404.
  • 3Yueming Jiang. A 1.2V Bandgap Refence Based on Transimpedance Amplifier. IEEE international symposium on circuits and systems, 2000(4):261-264.
  • 4R Jacob Baker. CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation. 1997: 463-488.

同被引文献30

引证文献8

二级引证文献11

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