微波放大器稳定性分析与设计被引量：7

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摘要提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤,总结了放大器稳定性设计方法。

作者于洪喜

机构地区西安空间无线电技术研究所

出处《空间电子技术》 2003年第2期10-13,17,共5页 Space Electronic Technology

关键词微波场效应晶体管放大器串联电阻稳定性分析设计

参考文献1

1陈莹,李斌.4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2011(1):121-128. 被引量：4
2李斌,梁世光.L波段致冷低噪声放大器[J].中国科学院上海天文台年刊,2004(25):128-134. 被引量：6
3王军明,何加铭,曾兴斌,郑庆辉.LNA设计技术的ADS仿真研究[J].宁波大学学报（理工版）,2005,18(3):340-343. 被引量：9
4黄秋元,鄢凯.LNA匹配网络设计与仿真[J].武汉理工大学学报（信息与管理工程版）,2005,27(5):144-147. 被引量：7
5王海宁,梁建刚,王积勤,张晨新.高功率微波条件下的无源互调问题综述[J].微波学报,2005,21(B04):1-6. 被引量：20
6Lucek J,Damen R. Designing an LNA for a CDMA front end [J]. RF Design, 1999,22(2):20-30.
7白晓东.微波晶体管放大器分析与设计[M]．北京；清华大学出版社，2003.
8Hewlett Packard. 1.5-8GHz Low noise GaAs MMIC amplifier MGA86576 technical data [DB/OL]. (2006-01-04) [2007-03-05]. htlp://www.datasheetcatalog.comldatasheets_pdf/M/G/A/8/MGA86576.shtml.
9Lucek J, Damen R. Designing an LNA for a CDMA front end[J]. RF Design, 1999, 22 (2) : 20-30.
10Ludwig R,Bretchko P.射频电路设计-理论与应用[M].北京:电子工业出版社,2002,322-326,272-273.

1徐立生,马素芝,何建华.通信卫星用GaAs微波场效应晶体管的可靠性快速评价技术[J].电子元器件应用,2000,2(6):20-21.
2冯业胜.运算放大器电路的稳定性及设计[J].集成电路通讯,2002,20(4):14-16.
3刘扬英.微波场效应晶体管开关[J].电子对抗技术,1989(1):31-34.
4朱乙平.微波场效应功率放大器的CAD技术[J].雷达与对抗,1996(3):18-26.
5徐立生,马素芝,何建华.通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术[J].半导体情报,1999,36(6):53-55. 被引量：2
6晶体管、MOS器件[J].电子科技文摘,2000(8):27-30.
7魏东北.微波集成电路有源电感[J].无线电工程,1995,25(2):44-47.
8魏东北.微波单片集成有源电感[J].微波学报,1995,11(4):312-315. 被引量：1
9陈堂胜,杨立杰,王泉慧,李拂晓,陈效建.高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):231-234. 被引量：1
10张玉清,邓鸿章,张慕义.密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET[J].半导体情报,1989(2):8-11.

空间电子技术

2003年第2期

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