短暂性脑缺血发作患者事件相关电位研究

目的 研究短暂性脑缺血发作(TIA)患者的事件相关电位(P_(300))的变化,探讨TIA患者的认知损害及可能的机制。方法 对31例TIA患者及正常对照组30例,进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P_(300)检测及神经系统查体。数据采用t检验和Spearman等级相关分析。结果 TIA组的MMSE评分较低,与对照组比较有显著性差异(P<0.05)。P_3波潜伏期TIA组与对照组比较有显著差异(P<0.01);椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P_3波潜伏期延长,有显著性差异(P<0.05);TIA患者的P_3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r=0.383,P<0.01),与MMSE评分呈负相关(r=-0.259,P<0.05)。结论 TIA患者存在早期认知功能的损害。