2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——用于预防ESD失效的ESD电路模拟——应用于0．18μmCMOS技术产品
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第4期61-61,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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72002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在0．1μm CMOS技术中静电放电引起的氧化击穿的特性表征[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-61.
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82003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(4)[J].电子产品可靠性与环境试验,2004(4):60-62.
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92003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(5)[J].电子产品可靠性与环境试验,2004,22(5):61-63.
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102002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(3)[J].电子产品可靠性与环境试验,2003,21(5):61-64.
