2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——高电流传输线脉冲（TLP）和结合碳的硅锗异质结双极晶体管的ESD特性表征
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第4期61-61,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1Wint.,SS,黄英.硅锗异质结双极晶体管最小基区渡越时间的纵向掺锗分布[J].微电子技术,1993,21(6):46-49.
-
22002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在存在热电子的情况下进行MESFET的可靠性试验[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):62-62.
-
3徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,马建立.Early effect modeling of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors[J].Chinese Physics B,2011,20(5):444-449. 被引量：1
-
4黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟,胡辉勇,张静,刘道广.SiGe HBT超自对准结构模拟研究[J].微电子学,2005,35(4):329-331.
-
5沈珮,张万荣,金冬月,谢红云.SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造[J].电子与信息学报,2010,32(8):2028-2032. 被引量：4
-
62002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——用于预防ESD失效的ESD电路模拟——应用于0．18μmCMOS技术产品[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-61.
-
72002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——聚焦离子束暴露引起的漂移MOS参数的恢复[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-62.
-
82002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——GaAs MESFET中性能不稳定性（如栅滞后和纠结现象）[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-61.
-
92003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)[J].电子产品可靠性与环境试验,2004,22(1):58-62.
-
102003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(4)[J].电子产品可靠性与环境试验,2004(4):60-62.
