摘要
在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 。
Based on the experiment, the process of doping of Zn into InP induced by pulsed laser was analysed, and the temperature distribution analytical expression across the finite double layer Zn/InP irradiated by pulsed laser is presented.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期755-758,共4页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金高科技探索项目 (批准号 :6 98870 0 2 )
教育部与莫斯科大学合作项目资助课题
关键词
激光物理
温度分布
脉冲激光
诱导掺杂
Zn/InP
Boundary conditions
Differential equations
Pulsed laser applications
Semiconducting indium phosphide
Surface treatment
Temperature distribution
Zinc
