摘要
LMG5200器件(一种80V驱动器,采用Ga N半桥功率级)使用增强型氮化镓(Ga N)FET提供集成功率级解决方案。该器件由在半桥配置中的一个高频Ga N FET驱动器驱动的80V Ga N FET组成。不考虑VCC电压,TTL逻辑兼容输入可承受高达14V的输入电压。专有的自举电压钳位技术可以确保增强型Ga N FET的栅极电压位于安全工作范围内。Ga N FET为功率转换提供了显着的优势,因为它们具有接近零的反向恢复和非常小的输入电容CISS。
出处
《世界电子元器件》
2017年第1期20-24,共5页
Global Electronics China
