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“英特尔精尖制造日”解读全球晶体管密度最高的制程工艺
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摘要
'英特尔精尖制造日'展示10纳米制程、FPGA技术进展及业内首款面向数据中心的64层3D NAND产品'英特尔精尖制造日'活动展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包括:英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节,英特尔首款10纳米FPGA的计划,并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
出处
《世界电子元器件》
2017年第9期6-6,共1页
Global Electronics China
关键词
晶体管
英特尔
制程工艺
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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世界电子元器件
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