我国新型存储器材料研发取得重大突破

存储器是集成电路最重要的技术之一,能否开发自主知识产权的存储器芯片事关国家信息安全。目前,国际上通用的存储器材料是'锗锑碲'。近年来,消费电子产品的普及对存储器芯片的功耗、寿命、尺寸、持久力等各项性能指标均提出了更高要求,世界各国科学家都在加紧攻关存储器芯片的制造材料。宋志棠团队通过第一性理论计算与分子动力学模拟,从众多'候选'元素中,优选出'钪'作为掺杂元素,设计发明了低功耗、长寿命、高稳定性的'钪锑碲'材料。