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三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%
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摘要
三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。
出处
《世界电子元器件》
2017年第12期5-5,共1页
Global Electronics China
关键词
内存芯片
纳米级
第二代
分类号
TP333.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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世界电子元器件
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