用聚焦离子束对半导体材料进行透射电镜分析
出处
《现代材料动态》
2003年第10期13-14,共2页
Information of Advanced Materials
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1杨建华,张通和.注氮TiN镀层的背散射和透射电镜分析[J].微细加工技术,1993(1):38-41. 被引量：1
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2郑祥钦,郭新立,廖良生,刘治国.脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射[J].Journal of Semiconductors,1998,19(1):21-24. 被引量：10
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3张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦.注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(4):437-440. 被引量：1
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4陈伟华,胡晓东,章蓓,黎子兰,潘尧波,胡成余,王琦,陆羽,陆敏,杨志坚,张国义.GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析[J].Journal of Semiconductors,2005,26(z1):28-31.
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5赵亮,郭作兴,袁德增,魏秋林,赵磊.TEM study of dislocations structure in In(0.82)Ga(0.18)As/InP heterostructure with InGaAs as buffer layer[J].Optoelectronics Letters,2016,12(3):192-194.
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6李晓娜,聂冬,董闯,徐雷,张泽.C掺杂对离子注入合成β- FeSi_2 薄膜的影响[J].Journal of Semiconductors,2001,22(12):1507-1515. 被引量：4
-
7刘彭义,陈俊芳,陈向军.二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性[J].暨南大学学报（自然科学与医学版）,1997,18(3):48-51. 被引量：3
-
8蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗.非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用[J].Journal of Semiconductors,2006,27(z1):385-388.
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9张志明,莘海维,戴永兵,孙方宏,汪涛,沈荷生.热丝CVD法生长纳米金刚石薄膜的研究[J].微细加工技术,2003(1):27-33. 被引量：21
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10许北雪,吴锦雷,刘惟敏,杨海,邵庆益,刘盛,薛增泉,吴全德.稀土对金属纳米粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)光电发射性能的增强[J].物理学报,2001,50(5):977-980. 被引量：6
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