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Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响
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摘要
用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。
作者
谭伟石
吴小山
蒋树声
贾全杰
郑文莉
姜晓明
郑鸿样
机构地区
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
国立台湾大学凝聚态科学中心
出处
《北京同步辐射装置年报》
2002年第1期154-158,共5页
关键词
Si缓冲层
生长
温度
SiGe外延层结构
X射线
晶格
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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