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低能离子注入对大豆种子吸胀冷害的影响 被引量:7

Effects of Low Energy Ion Beams Implantation on Imbibition of Soybean Seeds at Low Temperature
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摘要 本文分别从浸种液中无机离子的浓度、可溶性糖的浓度以及溶液的pH值,研究了低能离子注入对大豆种子吸胀冷害的影响。结果发现一定剂量的氮离子注入大豆种子后,其无机离子、可溶性糖、酸性物质的泄漏量均有低于对照组的趋势,而且其长势好于对照组。说明离子注入能在一定程度上减轻大豆遭受的吸胀冷害。 The effects of low energy ion beams implantation on imbibition of soybean seeds at low temperature are reported from three aspectsconcentrations of inorganic ions?concentration of soluble sugar and pH of each solution. It is found that after being implanted by higher dose ion beams, the leaking in the three aspects is all less than that of CK,and it is growing better than CK evidently. 
出处 《激光生物学报》 CAS CSCD 2003年第5期364-367,共4页 Acta Laser Biology Sinica
基金 国家"十五"科技攻关项目(2001BA302B-03)
关键词 低能离子注入 大豆 吸胀冷害 low energy ion beams implantation soybean imbibition at low temperature
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