2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(3)

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摘要 41.超薄重新充氧氮化物的漏电流和可靠性评价以及与二氧化硅的比较(Leakage Current and Relia-bility Evaluation of Ultra-thin Reoxidized Nitride andComparison with Silicon Dioxides)——2002 Inter-national Reliability Physics Symposium pp.255—267.

机构地区信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心

出处《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第5期61-64,共4页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词 2002年可靠性氧氮化物存储电容器薄膜晶体管 CMOS

分类号 O4-1 [理学—物理]

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电子产品可靠性与环境试验

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