ICP法去除蚀刻后的Polymer

在干法去胶系统(Dry Plasma Strip System)里,等离子体能量,工艺气体和晶圆温度是去除蚀刻产生的聚合体(Polymer)的重要因素。在这里,我们所要论述的是独特的电感耦合等离子系统(ICP),它可以更好地去除这些Polymer,能在生产中大大节约溶剂的消耗,甚至省去湿法去胶工艺。蚀刻工艺中Polymer的形成,对于控制有图案晶圆(Patterned Wafer)的线宽(CD)是很必要的。然而,去除这些Polymer却是困难的。