新型电力电子器件及其进展

本文重点介绍了几种新型的硅(如COOLMOS、IGBT、IEGT、MCT、GTO、IGCT、PIC)和碳化硅器件(如SiC-功率MOSFET、SiC-Bi-MOSFET和SiC-GTO)。分析了这些器件的结构特点、工作原理,给出了这些新器件的发展动态、未来发展趋势及其进一步发展的主要技术障碍。