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第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势被引量：2

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摘要砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料，广泛应用于相控阵雷达，电子对抗，卫量通信、移动通信等领域，具有广阔的军民两用市场和发展前景，对发展微电子工业起着关键作用。

作者李和委

机构地区中国电子科技集团总公司第十三研究所

出处《世界产品与技术》 2003年第11期36-39,共4页

关键词 InP单晶材料 SIGE 化合物半导体砷化镓磷化铟硅锗发展趋势

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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2003年第11期

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