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宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显
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1
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摘要
本文着重介绍第三代半导体材料——宽禁带半导体SIC与GaN材料与器件国内外现 状及发展趋势,并重点展示了在光电子领域的应用前景。
作者
李静
机构地区
中国电子科技集团总公司第十三研究所
出处
《世界产品与技术》
2003年第11期40-43,共4页
关键词
宽禁带半导体
SiC
GAN
发展趋势
MESFET
HEMT
MMIC
HBT
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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世界产品与技术
2003年 第11期
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